MEMS 制造中，牺牲层刻蚀与微结构释放是关键难点。传统湿法刻蚀易因表面张力造成结构粘连失效。英国 memsstar 专注这一痛点，提供气相干法刻蚀及表面改性方案，是全球 MEMS 供应链的重要环节。
一、核心技术原理：干法刻蚀与分子级防护
SMR 系列气相刻蚀技术采用气态反应物替代液体刻蚀：无水 HF 气相刻蚀去除 SiO₂牺牲层；XeF₂气相刻蚀硅牺牲层，对铝、光刻胶、氧化硅选择比极高。全程气相工艺从根源避免粘连，配合精准控温、控压，保证刻蚀均匀性与工艺重复性。
自组装单分子层 (SAM) 沉积技术以气相方式在微结构表面形成单分子层薄膜，减小表面吸附力，具备疏水与低摩擦特性，既可避免制造粘连，又能减少长期工作中的失效问题，显著提升器件寿命与可靠性。
二、核心产品线及应用解析
SMR 平台面向惯性传感器、光学微镜、RF MEMS、微流控器件，完成牺牲层释放，可覆盖 8 英寸量产线与实验室，缩短研发到量产周期。同时，memsstar 针对压电、铁电新材料与复杂 3D 结构提供定制工艺开发，为企业与科研机构提供路线建议，降低研发风险。
三、memsstar 专业化优势
工艺选择性高，可在不损伤金属与敏感薄膜前提下精准刻蚀；通过高精度气路系统精细控制反应速率，大幅提升高价值 MEMS 器件良率；长期专注 MEMS 释放与可靠性领域，成为解决结构粘连、良率问题的专业代表。
MEMS 的进步依赖工艺对微观结构的精准控制。memsstar 以气相干法与表面改性技术，为 MEMS 量产扫清障碍，是晶圆厂值得长期信赖的工艺与设备伙伴。
