mill 200 离子束刻蚀系统

SCIA Mill 200离子束刻蚀系统采用射频离子源，提供高精度的离子束刻蚀。适用于各种材料的微纳加工，刻蚀过程无化学残留，纯物理刻蚀。

各类微纳加工、MEMS器件研发、红外探测和传感器研制和激光器开发

• 贵金属和耐化学腐蚀金属的结构蚀刻

• 含不同化学腐蚀速率薄膜的多层叠层结构

• MEMS和MOEMS中侧壁角度的调整
• 构造GaAs、GaN、AlGaN、InP等化合物半导体结构基于光栅和微结构的光学器件结构，通过离子束整形，有效降低微结构粗糙度
• 最大支持8英寸样片
• 优化样品夹持设计，可实现衬底的旋转和角度倾斜
• 可选装背氦制冷，终点检测等功能附件