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APX-300/-300S 多功能ICP干法刻蚀设备
APX-300 /-300s是松下（Panasonic）批量式 ICP 干法刻蚀机，主打化合物半导体、GaN、蓝宝石、PSS、功率器件、MEMS，兼顾批量高产能 + 单晶片级高精度，是第三代半导体兼具研发和小规模量产的主力机型。它继承了经典的 E620 腔体平台，常规配置为4/6寸晶圆兼容，S 版兼容最高 8 英寸单晶片、异形基板等。设备采用一体化真空腔体，独立 ESC 静电吸盘，支持氯基、氟基、Ar、O₂、He全制程气体。
- APX-300 标准版：6 英寸及以下批量并行刻蚀，主打 LED、GaN 量产高性价比
- APX-300-S 高配版：8 英寸单晶片处理，双 ICP 源、原位灰化清洗，适配功率器件、高端 MEMS、压电薄膜全工艺。
应用领域：
1. LED / 光电器件
-蓝宝石 PSS 图形粗化刻蚀
-GaN 外延台面（MESA）、器件隔离、芯片沟槽加工。
2. 第三代功率半导体（GaN/SiC）
-GaN HEMT 器件台面、栅槽、隔离刻蚀
-SiC 沟槽、终端结构、通孔刻蚀
3. 射频 & 声表面波 SAW 器件
-压电薄膜 PZT/AlScN、LN/LT 晶圆刻蚀
-RF 滤波器、高频芯片微结构加工
4. MEMS 传感器
-硅 / 化合物高深宽比沟槽、空腔、薄膜释放刻蚀
-压电材料刻蚀工艺：PZT/LNOI/LTOI/AlN等
-SiC 沟槽、终端结构、通孔刻蚀
5. 通用半导体薄膜
SiO₂、SiN、低 k 介质、ITO 透明金属电极刻蚀。
核心特点
- MSC-ICP（多螺旋低感线圈）：高密度、大面积均匀等离子，高精度、高深宽比、低损伤刻蚀
- BM-ICP（束型 ICP）：超高等离子密度，超高速深挖、厚膜 / 基板贯通刻蚀
- 腔体温控：全域均匀温控 + 顶板在线自清洁，非挥发性产物不易结垢、制程长期稳定
- 片内 / 片间均匀性：±3% 以内，批量晶圆一致性达到单晶片水平
- 剖面形貌：精准可控梯形、锥形、垂直陡直侧壁，适配 PSS 粗化、台面隔离
- 高深宽比 + 低损伤 低离子能量、高密度等离子，GaN MESA 台面、器件隔离、基板通孔无晶格损伤
