uGmni-200E 干法等离子体刻蚀

首页 > products > uGmni-200E 干法等离子体刻蚀

干法等离子体刻蚀 uGmni-200E

uGmni-200E 是一款等离子体干法刻蚀通用平台，兼具溅射、灰化、CVD 功能，搭载原创 ISM 静磁场 ICP 源与电极，刻蚀均匀性优、工艺控制范围广且维护便捷。该设备适配多规格晶圆 / 托盘，温控与工艺适配性强。

应用领域：

该设备工艺控制范围广，温控与晶圆适配性强，核心应用于通信、光学、功率器件及传感器、MEMS、生物芯片等微加工领域。

核心特点

  • 为溅射、刻蚀、灰化、CVD 通用平台，模块配置灵活，维护便捷；
  • 搭载原创 ISM 静磁场 ICP 源，配备专利 STAR 电极，避免射频窗口副产物沉积；
  • 支持离子到自由基刻蚀宽工艺控制，标配高精度光发射终点检测，可选光干涉系统；
  • 等离子体源可选 ISM/ISM-duo，晶圆 / 托盘刻蚀均匀性达 ±5%(Th-SiO₂)；
  • 加热机制丰富，ESC 多温区可调，抑制温度波动，拓展工艺余量；
  • 双轴臂传输，适配 φ2~8inch 晶圆 /φ230 托盘，操作便捷，抽气系统分区配置；
  • 工艺气路最多 8 路，射频功率配置充足，满足多元工艺需求。
产品信息
  • 品牌 ULVAC
  • 型号 uGmni-200E
  • 类别 干法等离子刻蚀
  • 领域 通信、光学器件、功率器件

需要更多信息？
随时联系我们

如有任何产品咨询或技术支持需求，请随时与我们联系，我们将竭诚为您服务。

Get in touch
 shape

慧核心技术，创至诚服务

联系我们

办公地址

北京市昌平区未来科学城英才北三街绿地云谷

010-69758208

京ICP备18008878号-1​

© 2026 wise-creative.com.cn All right reserved.