SYSKEY 感应耦合等离子增强化学气相沉积ICP-PECVD

ICP-PECVD等离子增强化学气相沉积

SYSKEY ICP PECVD 以高密度 ICP、低温、高均匀性、强台阶覆盖、多材料兼容与模块化定制为核心,兼顾科研灵活性与量产稳定性,是先进封装、光电子、MEMS 与半导体后段的理想设备。核心特点是高密度 ICP 等离子体、低温工艺、极佳均匀性、高台阶覆盖、多材料兼容与高度定制化,主打科研到小批量量产的高稳定性与低成本优势。

应用领域:

  • 半导体:SiO₂/SiNₓ钝化层、层间介质、硬掩模、刻蚀停止层。
  • 先进封装:TSV 绝缘、RDL 钝化、晶圆键合、2.5D/3D 封装。
  • 光电子:OLED/TFT-LCD 绝缘与钝化、钙钛矿太阳能电池。
  • MEMS:微结构保形覆盖、防刮耐磨 DLC 薄膜。
  • 科研:2D 材料(石墨烯、MoS₂)、柔性电子、生物医疗涂层。

核心特点

  • ICP 线圈产生高密度等离子体(~10¹¹–10¹² cm⁻³),电离效率更高、离子能量更低,沉积速率更快、薄膜更致密、损伤更小
  • 常规工艺 ≤350°C,甚至可在150–250°C制备高质量 SiO₂、SiNₓ、a-Si、DLC 等,适配柔性基板、OLED、半导体后段、塑封器件等热敏场景。
  • 整片厚度均匀性 ≤±3%,片间重复性好,满足高端器件与先进封装要求。
  • 优异台阶覆盖与间隙填充:ICP 等离子体方向性好、绕镀能力强,深宽比 > 10:1 结构仍可保形覆盖,适合TSV、MEMS、2.5D/3D 封装
  • 最多10 路气体管线,高精度 MFC 控制,适配 TEOS、SiH₄、NH₃、N₂O 等多种前驱体
  • 载台温度室温–400°C(可选 700°C),控温精度 ±1°C
产品信息
  • 品牌 SYSKEY
  • 型号 ICP-PECVD
  • 类别 化学气相沉积
  • 领域 半导体研发,先进封装,光电子,MEMS等

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