ALD原子层沉积设备

适用于先进半导体（高 k 栅介质、金属栅极）工艺，第三代半导体（钝化层、界面层、应力调控层），光电子与显示（OLED 封装层、量子点薄膜、Micro LED 钝化、光学涂层），MEMS 与传感器（超薄绝缘层、防粘涂层、生物传感器功能膜、压力 / 加速度传感器），柔性与印刷电子（低温聚合物薄膜、柔性基板钝化、可穿戴器件封装）等领域。