蔡司Crossbeam系列的FIB-SEM结合了场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)出色的成像和分析性能,和新一代聚焦离子束(FIB)优异的加工性能。无论是在科研或是工业实验室,您都可以在一台设备上实现多用户同时操作。得益于蔡司Crossbeam系列模块化的平台设计理念,您可以根据自己需求的变化随时升级仪器系统。在加工、成像或是实现三维重构分析时,Crosssbeam系列都将大大提升您的应用体验。
√ 使用Gemini电子光学系统,您可以从高分辨率SEM图像中提取真实样本信息
√ 使用新的Ion-sculptor FIB镜筒以及全新的样品处理方式,您可以大限度地提高样品质量、降低样品损伤,同时大大加快实验操作过程
√ 使用Ion-sculptor FIB的低电压功能,您可以制备超薄的TEM样品,同时将非晶化损伤降到非常低
√ 使用Crossbeam 340的可变气压功能
√ 或使用Crossbeam 550实现更苛刻的表征,大仓室甚至为您提供更多选择
蔡司Crossbeam技术支持
蔡司Crossbeam的FE-SEM镜筒与蔡司所有的FE-SEM系统一致,都是基于蔡司Gemini技术。您可选择Crossbeam 340使用可变气压模式的Gemini VP镜筒,或者Crossbeam 550使用Gemini II镜筒。
场发射的SEM为高分辨成像设计。场发射SEM关键表现取决于其电子光学镜筒。Gemini技术支持所有的蔡司的FE-SEM和FIB-SEM:特别为各种样品,尤其是低电压下提供高分辨和更优且操作简单的探测。
Gemini光学系统有三个主要特征
Gemini的物镜是静电透镜和电磁透镜复合的电子光学结构,可大大提升镜筒的使用效果,同时对样品无高标准要求。
Gemini的电子束推进技术,一种整合的电子束加速并减速装置,可保证电子束斑尺寸和高信噪比。
Gemini镜筒内探测器概念可确保更好的信号收集,可同时用较短的时间探测二次电子(SE)和背散射电子(BSE)信号。
您的FIB-SEM应用获益
SEM电子束对中可长期保持稳定,改变探针电流和加速电压对系统几乎没有影响。
无磁场泄露的光学系统可获取大视野的无畸变和高分辨的图像。
样品倾斜转动时不影响电子光学系统的表现。
现在SEM应用要求在低着陆能量下获取高分辨图像已经成为一个必需的标准。本质上因为:
束流敏感的样品
不导电的材料
获取样品极表面的信息排除背景和深层的信号
Gemini独树一帜的电子光学结构优化低电压和超低电压的分辨率并且增强了衬度。
技术特点为使用高分辨电子枪模式和可选的Tandem decel(样品台二级联动减速)。
高分辨电子枪模式可通过降低30%的电子束色散来减小色差
Tandem decel 模式现可用于蔡司Crossbeam 550,可用于两种不同的应用模式:
√ Tandem decel 是一种两步式电子束减速模式,将“电子束推进器”技术与高负偏压技术相结合:通过对样品施加一个高的负偏压使入射电子减速,从而有效降低着陆能量。
√ 通过在50V和100V之间施加可变的负偏压来增强衬度
√ 通过施加1kV至5kV的反向负偏压来实现低电压分辨率的提高
Tandem decel(样品台二级联动减速)可使样品施加高达5kV电场,以改善在低电压的成像。
蔡司Crossbeam系列新一代聚焦离子束镜筒——Ion-sculptor,可以在极低的电压下实现高速率、大束流的样品处理,并保持样品质量
利用Ion-sculptor FIB镜筒的低电压特性尽可能提高样品质量
尽可能减少样品的非晶化,以在减薄后保持良好的结果
良好的稳定性帮助您获得精准、可重复的实验结果
探针电流的快速切换极大地加速您的应用
高达100nA的束流帮助您实现更好的实验
可实现低于3nm的优异分辨率
Crossbeam系列具有FIB束流自动恢复系统,从而满足长周期实验的需要。
Ion-sculptor FIB 镜筒可以在不损失精度的情况下提升你的FIB应用,受益于低电压工作,您可以处理精细样品。