scia IBE 离子束刻蚀 mill 150 

scia Mill 150设计用于构造各种材料的复杂多层膜。凭借其完全反应性气体兼容性，该系统还可以实现选择性和速率增强的反应性蚀刻工艺。由于其节省空间的设计，scia Mill 150非常适合小规模生产和研发应用。

scia Mill 150可用于最大φ150mm的单个基板的高度均匀离子束蚀刻。该系统配备直径为218毫米的圆形宽束离子源。离子源在工作中使用惰性气体（离子束蚀刻）以及反应性气体（反应性或化学辅助离子束蚀刻）。直径不超过150mm的样品将通过进样腔自动转移到工艺室。基板将安装在可倾斜和旋转的基板支架上，该支架配备背氦制冷，通过热传递有效冷却基板。

scia 150的常规配置包括：

● 1个带真空系统的工艺腔室

● 1离子束源

● 1基板支架

● 1个带传输系统的load-lock腔

● 设施供应，包括气体通道、压缩空气和冷却水分配

● 带电源和控制PC的控制架

● 包括安装和培训

● 作为附加选项，可随系统订购以下组件：

● 终点检测系统

● 光学发射光谱仪（OES）系统