设备概述

真空溅射的基本原理是在真空条件下，向溅射室通入氩气，利用直流或交流放电的方式，使氩气离子化。氩离子在磁场的作用下，飞向靶材并撞击靶材，靶材上的原子或分子被溅出，飞向基板表面并在基板表面附着堆积，形成高质量的薄膜。此设备含有多个靶材，可适用溅射单层或者多层金属薄膜，研究面更广。而含有机械手臂的配置，可自动传输基板，集成化全自动电脑控制工艺流程，实验稳定性及效率更高。

设备用途

用于再硅片或特种材料的基板上进行Al、Ni、Au、Ti、Pt、TiW等金属（合金）；SiO2、TiO2、Al2O3等氧化物；TiN、TaN等氮化物；硅、碳等非金属的高真空溅射镀膜。

功能指标

（1）  搭载Load/Lockcassette腔体，搬送腔体和工艺腔体

（2）  标配4个4inch（可选磁性材料）或1个12inch溅射靶位

（3）  基板电极加热器可实现300℃±15℃的基板加热

（4）  基板电极升降可实现溅射距离60~180mm可调

（5）  基板电极旋转可实现2~20rpm的基板旋转

（6）  溅射电源标准DC电源+RF电源（多溅射电源、共溅可选）

（7）  标准搭载RF逆溅射（Etching清洗）功能

技术指标

（1）  工艺腔极限真空：1.0E-4Pa

（2）  工艺腔排气速度：20min至1.0E-3Pa

（3）  托盘中心Φ200mm范围基板内分布/基板间分布：±5%

（4）  工艺腔排气速度：20min至1.0E-3Pa

（5）  常规金属/合金材料：Ti、Ni、Ag、TiW等常规非金属/氮化物/氧化物：Carbon、Al2O3、TiN等，托盘中心Φ200mm范围基板内分布/基板间分布：±5%